FP75R12KT4 - Infineon Schweiz Verkauf

Marke	Infineon
Produkt	FP75R12KT4
Beschreibung	IGBT Silizium-Modul
Interner Code	IMP4672783
Technische Spezifikation	Konfiguration: 3-Phasen Kollektor-Emitter-Spannung VCEO Max: 1200 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2,25 V Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C: 150 A Gate-Emitter-Leckstrom: 100 nA Pd - Verlustleistung: 385 W

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